3D NAND Flash技术发展到极限5年内利润空间恐压缩至零加拿大28预

编辑:凯恩/2018-12-26 12:49

  日前SK海力士(SK Hynix)预料,3D NAND Flash发展到200层左右将达可生产性极限,5年内利润空间恐压缩至零,需业界合作开发新材料因应。

  据报导指出,SK海力士常务李炳基在半导体、面板发展研讨会上表示,由于设备、材料业者间缺乏积极合作,恐难突破DRAM、NAND Flash的技术限制。

  李炳基指出,取代平面NAND Flash而崛起的3D NAND Flash技术将在5年内达到极限,3D NAND Flash的密度若持续增加,单元(cell)间可能会出现干涉现象,或薄膜受到的压力过大而使图形交缠在一起,目前虽然已经开发出克服这些问题的技术,但终究不是根本解决之道。而DRAM的前景亦不明朗,目前DRAM技术已达物理极限,随著制程更加微小,需要控制的原子单位更多,因此,漏电的现象也会随之增加,南方体彩注册。进而影响装置正常运行。

  李炳基认为,中长期而言,最佳的解决方案是开发新的材料,不仅最快,也将最有效率,但这需要透过设备与材料业者合作,若能顺利解决材料上的问题,甚至有机会成为新款存储器,然业者需开发出既突破物理限制又不昂贵的材料,否则若新材料制造成本过高,亦会面临经济上的限制。加拿大28预测网

  最后,李炳基回应英特尔(Intel) 2017年即将量产3D Xpoint存储器一事,表示SK海力士也在做准备,一旦英特尔成功开创新市场,SK海力士将会马上提出对策。

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