牢记总理嘱托献力存储器产业发展重庆幸运农场计划

编辑:凯恩/2018-12-12 11:05

  5月23日,中共中央政治局常委、国务院总理李克强在湖北省委省政府领导陪同下,到武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”)考察,视察了晶圆生产超净间,并与中科院微电子所研究员、武汉新芯三维存储器项目资深技术总监霍宗亮等三维存储器专家亲切交谈。李克强总理阐述了存储器产业作为基础产业的重要意义,表达了对我国自主存储器产业发展的殷切期望。

  近日,笔者对霍宗亮研究员进行了电话访谈。霍宗亮表示,项目目前正处在研发攻坚阶段,重庆幸运农场计划团队夜以继日,努力攻克难题、推进项目进展。“总理到研发和生产一线视察,让整个团队非常振奋。极大增强了大家的责任感、使命感和荣誉感,我们将以更加高昂的士气,精神饱满地投入到项目研发中。”霍宗亮说道。

  霍宗亮是中科院微电子所“百人计划”研究员,也是武汉新芯三维存储器项目资深技术总监,长期从事三维存储技术的研发工作。

  2014年,武汉新芯将发展三维NAND存储器确立为战略研发方向。如何快速提升NAND存储器研发团队整体实力、快速推进三维NAND存储技术研发,成为武汉新芯面临的挑战之一。2014年7月,中国科学院组织实施《“率先行动”计划》,强调应用技术研发要以企业为主体、市场为导向,加快科研成果的转移转化,服务产业发展。在此背景下,为推动存储芯片技术和产业发展,在微电子所叶甜春所长的倡导下,微电子所与武汉新芯在三维NAND存储器领域建立了战略合作关系,微电子所也正式成为武汉新芯技术研发的核心合作伙伴。2014年9月,微电子所抽调科研骨干组建“中科新芯三维存储器研发中心”,由霍宗亮研究员担任主任。随后,存储器中心的研发团队以“双跨”模式加入武汉新芯,负责三维存储器研发工作。2014年10月,三维存储研发项目正式启动,联合研发团队优势互补、协同攻关,经过8个月的努力,第一款具备9层存储结构的三维存储阵列于2015年5月顺利产出,并通过电学性能验证。截至目前,9层存储结构的存储性能获得显著提升,满足产品级应用要求,与此同时,更多层结构的三维存储器产品的工艺技术和芯片设计技术正按计划顺利进行。微电子所科研人员也以优异的表现获得了武汉新芯的高度认可。

  2016年3月28日,国家存储器基地项目在武汉东湖高新区正式启动,由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资建设,总投资额达240亿美元。

  霍宗亮告诉笔者,“存储器基地项目启动后仅两个月,李克强总理便亲自赴武汉新芯视察,让武汉新芯特别是三维存储器研发团队,感受到国家大力发展存储器产业的坚定决心,这让我们感受到了所从事的事业的重要意义,也让我们感觉到了肩挑的责任和重担。总理对我们研发团队所寄予的期望、对中国存储器事业寄予的期望,对我们来说是一种鞭策,更是一种前进的动力”。霍宗亮还表示,“能够参与建设国家存储器基地的战略任务是一个难得的历史机遇。正是由于微电子所和武汉新芯的战略合作,我们才能幸运地赶上这一注定书写中国存储器辉煌未来的机遇。微电子所作为其中的一员,承担并完成这一重大任务,也是对中科院‘以企业为主体,以市场为导向’的应用技术学科发展思路的具体实践和行动支持。团队将肩负起历史使命,脚踏实地、坚持不懈、锲而不舍,为我国存储技术发展和产业提升尽一份力量!”(中国科学院微电子研究所 靳磊 杨诗洋)